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我国碳化硅激光剥离技术实现重大突破
近日，国家第三代半导体技术创新中心深圳平台（#深圳平湖实验室）宣布在碳化硅衬底加工领域取得里程碑式进展。该团队自主研发的全自动化激光剥离系统，成功将碳化硅衬底单片切割损耗从传统工艺的280-300微米降至75微米以下，单片成本降低26%，技术水平达到国际先进。
在#第三代半导体#材料产业化进程中，碳化硅（SiC）衬底加工技术长期受制于高损耗、低效率的瓶颈。深圳平湖实验室聚焦SiC激光剥离新技术的研究与开发，旨在大幅降低碳化硅衬底的切割损耗，从而降低碳化硅衬底的成本，促进大尺寸SiC衬底规?；涤τ?。
2024年12月，深圳平湖实验室新技术研究部实现了激光剥离单片总损耗≤120μm，单片切割时间30min，达到国内领先水平。
通过进一步进行激光剥离的机理研究和优化激光剥离的工艺参数，2025年6月实现激光剥离的单片总损耗≤75μm，单片切割时间20min，单片成本降低约26%，单台设备切割时间从60分钟/片缩短至20分钟/片，结合智能化产线，产能提升3倍，为规?；於ɑ?。并且已完成三批次的小批量验证，良率100%。
随着新能源汽车、光伏等领域对碳化硅需求激增，国产激光剥离技术的成熟将为产业链自主化注入强劲动力。
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